Корпорация Intel (http://www.intel.com) опубликовала планы расширения ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет продукции, выпускаемой по 65-нм технологии. По заявлению компании, переход к 65-нм производственному процессу позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, расширить функциональные возможности продукции и продлить ее жизненный цикл; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нм продукции Intel, которая используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.

Предлагаемая Intel память типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Память Intel StrataFlash (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Флэш-память Intel Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенная функциональность обеспечивает поддержку серийных встраиваемых приложений. Флэш-память Intel Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, упрощает конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньше выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств – телевизорах, DVD-проигрывателях, ПК, модемах и принтерах.