На ежегодной международной конференции по интегральным схемам International Solid State Circuits Conference корпорация IBM (http://www.ibm.com) представила первую в своем роде технологию «внутрикристальной памяти» (on-chip memory), которая демонстрирует лучшие показатели времени доступа, когда-либо зафиксированные для eDRAM (встроенной динамической памяти с произвольным доступом). Новая микросхема eDRAM, созданная IBM по технологии SOI 65 нм с применением метода изоляции с глубокими канавками, приблизительно на треть улучшает показатели производительности процессорной памяти и на 20% — показатели потребляемой мощности в режиме ожидания по сравнению со стандартной технологией статической памяти SRAM.