Как объявили компании Intel (http://www.intel.com) и Micron Technology (http://www.micron.com), развитие их совместного предприятия IM Flash Technologies, выпускающего флэш-память класса NAND, идет с опережением графика. С момента создания IM Flash в январе этого года был введен в строй современный завод по выпуску модулей флэш-памяти класса NAND с использованием 300-мм подложек в Манассасе (шт. Вирджиния, США). Ожидается, что в самом начале следующего года завод в Леи (шт. Юта) также сможет приступить к производству продукции на базе 300-мм подложек. Сейчас флэш-память класса NAND для совместного предприятия производится и на заводе корпорации Micron в Бойсе (шт. Айдахо).

В июле этого года Intel и Micron представили первые в отрасли образцы модулей флэш-памяти класса NAND, изготовленных по 50-нм производственной технологии. В настоящее время обе компании выпускают опытные образцы 4-Гбит модулей флэш-памяти, создаваемые на основе 50-нм технологии, а со следующего года планируют наладить производство широкого ассортимента продукции, включая многоуровневые модули флэш-памяти класса NAND.

Кроме того, Intel и Micron заявили о намерении создать новое совместное предприятие в Сингапуре, запустив четвертый завод по выпуску модулей флэш-памяти NAND. Первые поставки продукции с конвейера сингапурской фабрики ожидаются во второй половине 2008 г.; первоначально на ней планируется использовать 50-нм производственную технологию и 300-мм подложки. Строительство завода в Сингапуре начнется в первой половине следующего года.