Корпорация IBM (http://www.ibm.com) и компании Chartered Semiconductor Manufacturing (http://www.csminc.com), Infineon Technologies (http://www.infineon.com) и Samsung Electronics (http://www.samsung.com) объявили о результатах совместной деятельности по созданию технологий для производства 45-нм кремниевых микросхем с низким энергопотреблением. В частности, были представлены первые реализованные в кремнии микросхемы и объявлено о готовности наборов средств проектирования. Заблаговременное представление характеристик ключевых проектных элементов, уже воплощенных "в кремнии", а также проектировочных наборов станет серьезным подспорьем для разработчиков при переходе к новому технологическому процессу. Наборы для разработчиков, в создании которых принимали участие специалисты всех четырех компаний, призваны также стимулировать производство единой конструкции на нескольких производственных предприятиях с целью эффективного использования проектных наработок и обеспечения максимальной полезности для потребителей. Эти наборы уже доступны некоторым заказчикам.

Первые работающие микросхемы, изготовленные по 45-нм нормам, предназначены для систем связи следующего поколения. Их выпуск на 300-мм производственной линии IBM в Ист-Фишкилл (шт. Нью-Йорк), где базируется объединенная группа разработки, подтвердил правильность технологических решений, принятых партнерами по альянсу. Среди блоков, которые успешно прошли тестирование, были узлы для библиотеки стандартных компонентов и элементы ввода-вывода разработки Infineon, а также встроенная память, разработанная специалистами альянса. Компания Infineon включила в первые 300-мм полупроводниковые пластины специальные схемы для отладки комплексных процессов и получения информации о взаимодействии компонентов архитектуры.

Как ожидается, к концу 2007 г производство микросхем по 45-нм технологии с низким энергопотреблением на основе 300-мм подложек будет в полном масштабе развернуто на фабриках Chartered, IBM и Samsung.