Компания KIOXIA Europe (ранее называлась Toshiba Memory) объявила о завершении разработки пятого поколения трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со 112-слойной вертикальной структурой. KIOXIA планирует начать поставки первых рабочих образцов нового устройства емкостью 512 Гбит (64 Гбайт), созданного с использованием технологии TLC (triple-level cell, три бита на ячейку), в I квартале 2020 г. Новинка должна удовлетворить растущий спрос на дополнительные емкости для широкого спектра ситуаций, от традиционных мобильных устройств, потребительских и корпоративных твердотельных накопителей, до новых способов применения, которые возникают с развитием сетей 5G и ИИ, распространением автономных транспортных средств.

В дальнейшем KIOXIA планирует применять новую технологию пятого поколения в устройствах большей емкости – 1 Тбит (128 Гбайт) с использованием TLC и 1,33 Тбит с использованием QLC (quadruple-level cell, четыре бита на ячейку).

Инновационная 112-слойная структура KIOXIA в сочетании с продвинутой схематикой и производственными технологиями позволяет получить примерно на 20% более высокую плотность ячеек по сравнению с 96-слойной структурой предыдущего поколения. Таким образом удалось снизить стоимость памяти в перерасчете на один бит и одновременно увеличить емкость производимой памяти из расчета на одну кремниевую пластину. Кроме того, скорость работы интерфейса возрастает на 50%, увеличивается производительность во время программирования, сокращается задержка при чтении.

KIOXIA анонсировала первый в мире прототип 3D флэш-памяти в 2007 г. и продолжает развивать эту технологию, активно продвигая BiCS FLASH, чтобы удовлетворить спрос на большие емкости для хранения данных с использованием кристаллов меньшего размера.

Пятое поколение BiCS FLASH было разработано совместно с технологическим и производственным партнером – Western Digital Corporation. Ее производство будет организовано на фабрике KIOXIA в Йоккаити (Япония) и на недавно построенном заводе в Китаками (Япония).