Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства нового поколения V-NAND флэш-памяти. Новые чипы будут включать 90 слоев ячеек (максимальное количество в отрасли) в отличие от предыдущих, реализованных на базе 64 слоев.

Ячейки флэш-памяти Samsung пятого поколения изготавливаются по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Сквозные каналы шириной несколько сотен нанометров содержат более 85 млрд CTF-ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных.

По оценкам компании память нового поколения будет обладать максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря интерфейсу Toggle DDR 4.0, используемому впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-Гбит модулями флэш-памяти достигла 1,4 Гбит/с, что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.

Несмотря на гораздо более высокое быстродействие, энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1,2 В. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных – 500 мкс, что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала значительно сокращено – до 50 мкс.

Для производства памяти нового поколения используются инновационные технологические процессы. Так, благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО) продуктивность производства V-NAND модулей увеличена более чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высоту слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечило устранение перекрестных помех между ячейками и повысило эффективность обработки данных ячейки.