Корпорация Intel представила свой новый серверный процессор Xeon E5-2600 v4 (кодовое название Broadwell), выпускаемый на основе 14-нм технологии. В зависимости от модели у Xeon E5-2600 v4, предназначенного для двухсокетных систем, может быть до 22 процессорных ядер с поддержкой до 44 потоков команд, до 55 Мбайт кэш-памяти последнего уровня Last-Level Cache (LLC) и он поддерживает до 24 модулей DIMM.

По сравнению с текущим поколением Xeon E5-2600 v3 (Haswell), изготовляемым по технологии 22 нм, у нового процессора на 20% больше ядер и кэш-памяти, он поддерживает высокоскоростные модули оперативной памяти (DDR4 с тактовой частотой 2400 МГц, в то время как v3 – до 2133 МГц). По оценкам Intel, прирост производительности приложений при переходе на Broadwell с Haswell может доходить до 44%, а для типичных бизнес-приложений он составляет около 23%.

Broadwell полностью совместим с Haswell по разъемам, поэтому серверы, использующие предыдущее поколение Xeon E5-2600, можно модернизировать простой заменой процессора. Кроме того, в Xeon E5-2600 v4 расширены функции информационной безопасности, включая изоляцию рабочих нагрузок, применение политики безопасности и ускоренное до 70% шифрование данных.

Об использовании Xeon E5-2600 v4 в своих двухсокетных продуктах объявили ведущие производители серверов, включая Cisco, Dell, Fujitsu, HPE и Lenovo, а некоторые из них представили и новые модели серверов на базе Broadwell. Например, Fujitsu выпустила однонитовый Primergy RX2510 M2, предназначенный для сервис-провайдеров и хостеров, который поддерживает от 8 до 384 Гбайт памяти DDR4 и оборудован четырьмя разъемами для карт расширения PCI Express 3.0.

Вместе с новым серверным процессором Intel анонсировала и четыре новых твердотельных накопителя серверного класса. Диски SSD DC P3320 и P3520 используют технологию твердотельной памяти 3D NAND, обеспечивающие высокую емкость размещения, в SSD DC D3700 and D3600 Series это двухпортовые платы PCI Express, в которых использован протокол энергонезависимой памяти Non-Volatile Memory Express (NVMe). Применение двух портов в этих платах улучшает отказоустойчивость хранения данных на флэш-памяти.