Компания Samsung Electronics объявила о начале производства встроенных мультимедийных карт (eMMC) 64 Гбайт нового поколения на базе технологического процесса класса 10 нм. Производство новых модулей памяти NAND начато более месяца назад.

Встроенная память – ключевой компонент памяти в таких мобильных устройствах, как смартфоны и планшеты. Samsung применяет высокопроизводительную память NAND 64 Гбайт на базе технологического процесса 10 нм в новых решениях памяти 64GB eMMC Pro Class 2000. Показатели производительности новых решений превосходят показатели традиционных решений 64GB eMMC Pro Class 1500 на базе интерфейса eMMC 4.5. Память NAND на базе технологического процесса класса 10 нм также технологически совместима с современной памятью Samsung 64GB MLC NAND класса 20 нм, которая была выпущена в мае прошлого года, что позволило повысить производительность производства на 30%.

В следующем году высокоскоростные решения eMMC будут поданы на рассмотрение в отраслевой орган стандартизации JEDEC (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам), чтобы принять их как отраслевой стандарт.

Новое решение памяти обеспечивает скорость произвольной записи данных 2000 операций ввода-вывода в секунду и скорость произвольного чтения 5000 операций ввода-вывода в секунду. Кроме того, скорость последовательного чтения и записи составляет 260 и 50 Мбайт/с соответственно, что до 10 раз быстрее, чем внешние карты памяти класса 10, которые обеспечивают скорость чтения 24 Мбайт/с и записи 12 Мбайт/с.

Модуль памяти 64GB eMMC Pro Class 2000 также позволит преодолеть растущие ограничения по размеру для мобильных форм-факторов на уровне компонентов. Он имеет размеры 11,5х13 мм, что на 20% меньше традиционного форм-фактора встроенной памяти (12х16 мм).