Корпорация IBM и компания ARM объявили о заключении партнерского соглашения, цель которого – расширить сотрудничество в области инновационных полупроводниковых технологий и ускорить разработку мобильных электронных устройств следующего поколения, оптимизированных для достижения высоких уровней производительности и энергетической эффективности. Созданная в рамках этого проекта комплексная технология будет включать ряд научно-физических и процессорных новаций, составляющих интеллектуальную собственность ARM. Промышленная реализация этой технологии будет адаптирована к производственному процессу от IBM с нормами вплоть до 14 нм.

По мере роста требований потребителей к таким характеристикам мобильных устройств, как время работы от батарей, непрерывный доступ в Интернет, безопасность транзакций и высококачественные мультимедийные возможности, проектирование полупроводниковых микросхем как строительных блоков таких устройств становится все более сложным. При размещении на кристалле сотен миллионов транзисторов проектировщикам приходится учитывать эффекты наномасштаба при применении метода литографии, неустойчивость свойств материалов и многое другое, что потенциально увеличивает время разработки.

В рамках соглашения ARM и IBM будут совместно разрабатывать платформы проектирования, согласованные с производственным процессом IBM и новациями ARM в области физики полупроводников и микропроцессорных технологий. Это сотрудничество призвано минимизировать риски и устранить ограничения на пути к дальнейшей миниатюризации при одновременном достижении оптимальных показателей плотности компоновки, производительности, потребляемой мощности и других характеристик для однокристальных систем (SoC, system-on-a-chip), а также ускорить появление на рынке инновационных электронных устройств.

Сотрудничество IBM и ARM началось в 2008 г.; его результатом стало внедрение целого ряда усовершенствований, направленных на улучшение плотности компоновки, трассируемости, технологичности, производительности и потребляемой мощности SoC-систем. Более того, благодаря предшествующей совместной работе над производственными процессами с технологическими нормами 32 нм и 28 нм ARM уже поставила одиннадцать тестовых чипов для проведения дальнейших исследований. Кроме того, ARM определила направления специфических оптимизаций ядер процессоров ARM, включая новейшее процессорное ядро ARM Cortex-A9, реализованное с применением технологии HKMG (High-K/Metal Gate; предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов).

Соглашение укрепляет и расширяет инициативу согласованной совместной разработки полупроводникового процесса и базовых функциональных блоков Physical IP, а также программу оптимизации микропроцессорного ядра. Наряду с этим нынешнее соглашение с IBM даст ARM дополнительные возможности для проведения дальнейших испытаний прототипов микросхем в соответствии с выработанным перспективным планом и поможет быстро вывести на рынок платформу решений Physical и Processor IP для узлов (точек межсоединений) масштаба 20–14 нм.