Компания Samsung Electronics объявила, что в ноябре ей удалось разработать и начать производство образцов первой в отрасли 4-гигабитной цельной памяти LPDDR2 DRAM с использованием технологии класса 30 нм. Она будет использоваться в мобильных приложениях верхнего сегмента, таких как смартфоны и планшетные ПК.

Новая память 4Gb LPDDR2 DRAM обеспечивает скорость передачи данных до 1066 Мбит/с, что приближает ее по показателям производительности к памяти для компьютерных приложений. Это более чем в два раза превосходит производительность предыдущего поколения мобильной памяти DRAM – MDDR, которое обеспечивает скорость передачи данных от 333 Мбит/с до 400 Мбит/с.

Чтобы удовлетворить постоянно растущие потребности потребителей в функциях мобильных приложений, современные чипы памяти должны обеспечивать как высокую производительность, так и высокую плотность записи данных. Компания Samsung начнет производство образцов чипов 8Gb LPDDR2 DRAM, объединяя два 4-гигабитных чипа в один модуль, так как прогнозируется, что память 8Gb начнет широко применяться на рынке мобильной памяти DRAM в следующем году.

Сегодня в решении 8Gb (1 Гбайт) используется четыре чипа 2Gb. Благодаря новой памяти Green 4Gb LPDDR2 толщина модуля будет на 20% меньше (0,8 мм и 1,0 мм соответственно), что позволит на 25% снизить энергопотребление по сравнению с предыдущим модулем 8Gb, в котором использовались четыре чипа 2Gb. Это дает возможность создавать более тонкие и легкие мобильные устройства с более продолжительным ресурсом работы от аккумуляторов.

Компания Samsung разработала чип памяти 2 Gb LPDDR2 DRAM на основе технологии класса 40 нм в феврале этого года и поставляет эти решения с апреля в ответ на растущий спрос на современные мобильные решения памяти DRAM. Благодаря новому чипу 4Gb класса 30 нм компания Samsung сможет удовлетворить резко возросший спрос на решения памяти LPDDR2 высокой плотности, по мере того как рынки смартфонов и планшетных ПК будут расти. Кроме того, планируется поставлять чипы памяти 16Gb (2 Гбайт) LPDDR2 DRAM, объединяя в модуль четыре чипа по 4Gb, по мере того как будут расти потребности в ресурсах.