Корпорация IBM (www.ibm.com) совместно с партнерами — компаниями AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и Колледжем научных и прикладных исследований в области нанотехнологий (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE) при университете штата Нью-Йорк в Олбани — объявили о получении первых в мире действующих элементов памяти типа SRAM (статическая память с произвольным доступом) с технологической нормой 22 нм. Действующие образцы модулей были изготовлены из 300-мм подложек на исследовательском комплексе в Олбани.

Полученная ячейка SRAM имеет обычную конструкцию на основе шести транзисторов; ее площадь всего 0,1 кв. мкм, что существенно меньше, чем у предшествующих ячеек этого типа. Традиционно повышение плотности микросхемы SRAM достигается за счет уменьшения размеров его основного компоновочного блока (ячейки). Специалисты IBM и партнеров корпорации оптимизировали конструкцию и схемотехнику ячейки SRAM для повышения ее стабильности, а также разработали несколько новаторских технологических процессов для производства новых ячеек SRAM. Для снижения размеров шаблона и повышения плотности печати применялась иммерсионная литография с высоким значением показателя NA.

Создание 22-нм ячейки памяти SRAM — ключевое достижение для дальнейшей миниатюризации электронных компонентов; следующим шагом станет создание процессоров на базе 22-нм технологии. Технологическая норма 22 нм на два поколения опережает современный уровень полупроводникового производства: следующее поколение микросхем будет основано на норме 32 нм, и переход на 32-нм техпроцесс производители рассчитывают осуществить к 2010 г. Тем не менее аналитики предсказывают появление первых серийных 22-нм микросхем уже в 2011 г.