Корпорации Intel (www.intel.com), Samsung Electronics (www.samsung.com) и TSMC (www.tsmc.com) достигли соглашения о необходимости общеотраслевого сотрудничества с целью перехода, начиная с 2012 г., на 450-мм подложки. Переход на подложки большего диаметра обеспечит дальнейшее развитие полупроводниковой промышленности и позволит в будущем сохранить приемлемую структуру расходов на создание интегральных микросхем.

Изготовление микросхем с использованием подложек большего диаметра позволяет увеличить выпуск полупроводников с минимальными затратами. Общая площадь поверхности 450-мм подложки и количество печатных кристаллов ИС более чем вдвое превышают соответствующие показатели для 350-мм подложек. Подложки большего диаметра также снижают себестоимость и общий объем ресурсов, требующихся для изготовления одной микросхемы.

Компании намерены работать совместно с представителями полупроводниковой промышленности, чтобы обеспечить к установленному сроку разработку и тестирование всех компонентов, инфраструктуры и производственных мощностей для внедрения опытной линии. Придерживаясь исторически сложившегося темпа развития отрасли, Intel, Samsung и TSMC считают 2012 г. подходящим временем для начала перехода на 450-мм подложки.

Intel, Samsung и TSMC отмечают, что полупроводниковая промышленность может повысить окупаемость инвестиций и существенно снизить затраты на научные исследования и разработку технологии 450-мм подложек за счет применения согласованных стандартов, оптимизации изменений инфраструктуры и автоматизации производства 300-мм подложек, а также следования общему графику работ. Компании считают также, что подход с позиций сотрудничества поможет свести к минимуму риск и затраты, связанные с переходом на новую технологию.